大家好，我是G-MRCO-位移传感器事业部，张工。

G-MRCO-位移传感器用用于工业、机器人和医疗应用领域。严苛环境中的高级应用需要即使暴露于油渍、污垢和灰尘中也能应对。凭借其MagnetoResistive技术和可用的外形规格，KMXP传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度，设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。G-MRCO-传感器测量原理基于各向异性磁阻效应（AMR效应）。这些传感器提供两种不同的DFN封装，可用于多个定位选项。

在电子时代，

磁阻

传感器广泛应用于电机、汽车工业、工业自动控制、机器人、楼宇办公自动化、家用电器等领域，如用于感知速度、运动和方向。其中，霍尔效应传感器历史最悠久，是最受欢迎的磁传感器之一。霍尔传感器功耗低、占地面积小、距离感应、可靠性高、

寿命长

。

被应用于电机转码计数、开关位置检测、防篡改检测。中间。

作为一种流行的磁传感器技术，G-MRCO-磁阻传感器的原理是当对导体施加垂直磁场时，在载流导体（通常称为霍尔元件）中产生差分电压。电压是由外加磁场引起的洛伦兹力的结果，它使电流电子集中在导体的一端，并在两端之间产生电位差。

具体来说，G-MRCO-磁阻传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成，它自身携带连续电流。当器件放置在磁场中时，磁通量线对半导体材料施加一个力，使电荷载流子、电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们通过半导体材料所经历的磁力的结果。当这些电子和空穴横向移动时，通过这些电荷载流子的积累，在半导体材料的两侧之间会产生差分电压或电位差。

上图显示了G-MRCO-磁阻传感器的电流、电压和磁场之间的关系。产生的电压通常称为霍尔电压(VH)。无磁场时，电流电子分布均匀，VH为零。当施加磁场时，电流电子的分布受到干扰，将导致与电流和施加磁场的叉积成比例的非零VH。电流通常是固定的，从而导致VH与施加的磁场之间存在直接关系。

电压随磁场的强弱而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几毫伏，但经过集成电路中的放大器放大后，电压可以放大到足以输出更强的信号。